海力士中國股票

⑴ 海力士中華保險上訴

其實都差不多，三星和海力士都是代工內存條，也同時出售內存顆粒，也有自己的內存品牌，我覺得海力士更好，是目前最大的內存顆粒生產製造商，兩個都是韓國貨，三星主要做伺服器內存比較多，海力士品牌機內存比較多，

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⑵ 海力士的發展過程

2013年11月15日海力士在無錫增資25億美元，此次簽約的五期項目將從29納米提升至25納米級,並爭取提升 至10納米級,預計到2016年完成該項技術升級。
2013年09月4日下午3:30左右，無錫Hynix廠房起火，原因未知。
2012年02月韓國第三大財閥SK集團入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月 成立中國無錫市後續工程合作社
04月 世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
03月 世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證
02月世界最先開發44nm DDR3 DRAM
01月 世界最先獲得關於以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證。
2008年 12月 世界最先開發2Gb Mobile DRAM
11 月引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
08月 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm 技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM
為引進嶄新而創新性NAND快閃記憶體存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大
05月 與ProMOS公司簽署關於加強長期戰略性合作的修改案
04月 為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU理事會的措施表示歡迎開發出世界最高速Mobile LPDDR2
02月 引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
01月 簽署關於在對下一代不揮發性存儲器技術的共同R&D程序上進行合作的合同
2008年發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證
2007年12月成功發行國際可兌換券(global convertible notes)
11月WTO做出判決海力士進口晶元相關報復性關稅一案，日本敗訴。與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議，獲得對 1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證，業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM
10月與Ovonyx公司簽署關於PRAM的技術及許可證合同與環境運動聯合(韓國)簽署關於在環境管理上進行合作的合同
09月以24層疊晶元(stacked chips)，世界最先開發NAND快閃記憶體MCP
08月開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
07月發表企業中長期總體規劃
05月業界最先獲得關於DDR3 DRAM的英特爾產品認證
04月DOC H3開始大量生產在韓國清州300mm設施開工實現最高水平的營業利潤率
03月開發出世界最高速ECC Mobile DRAM發表「生態標記(ECO Mark)」與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同
與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協議及簽署關於對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)金鍾甲就任新任 代表理事、社長
01月開發出以「晶圓級封裝(Wafer Level Package)」技術為基礎的超高速存儲器模塊
2006年創下最高業績及利潤
2006年12月業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模塊，開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
10月創下創立以來最高業績，通過海力士ST半導體(株)的竣工，構建國際性生產網路
09月300mm研究生產線下線
03月業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證
01月發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計劃(快閃記憶體驅動器內置的新型DiskOnChip)
2005年12月 世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM
11月 業界最先推出JEDEC標准8GB DDR2 R-DIMM
07月 提前從企業重組完善協議中抽身而出
04月 海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮
03月 發布2004年財務報表，實現高銷售利潤
01月 與台灣茂德科技簽訂戰略性合作夥伴協議
2004年11月 與意法半導體公司（STMicroelectronics)簽訂關於在中國合資建廠的協議
08月 與中國江蘇省無錫市簽訂關於在中國建廠合作協議
07月 獲得公司成立以來最大的季度營業利潤
06月 簽訂非內存事業營業權轉讓協議
03月 行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證
02月 成功開發NAND快閃記憶體
2003年12月 宣布與PromMOS簽署長期的戰略性MOU
08月 宣布發表在DRAM行業的第一個1Gb DDR2問世。
07月 宣布在世界上首次發表DDR500
06月 512M DDR400產品在DRAM業內首次獲得因特爾的認證
05月 採用0.10微米工藝技術投入生產，超低功率256Mb SDRAM投入批量生產
04月 宣布與STMicroelectronics公司簽定協議合作生產NAND快閃記憶體
03月 發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM
2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD業務部門
10月 開發0.10微米、512MB DDR
08月 在世界上首次開發高密度大寬頻256MB的DDR SDRAM
06月 在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運用於高終端客戶
03月 開發1G DDR DRAM模塊
2001年08月 開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
08月 完成與現代集團的最終分離
07月 剝離CDMA移動通信設備製造業務『Hyundai Syscomm』
05月 剝離通信服務業務『Hyundai CuriTel』
剝離網路業務『Hyundai Networks』
03月 公司更名為「Hynix半導體有限公司」
2000年08月 剝離顯示屏銷售業務『Hyundai Image Quest』
04月 剝離電子線路設計業務『Hyundai Autonet』
1999年10月 合並LG半導體有限公司，成立現代半導體株式會社
03月 出售專業的半導體組裝公司（ChipPAC）
1998年09月 開發64M的DDR SDRAM
1997年05月 在世界上首次開發1G SDRAM
1996年12月 公司股票上市
1989年11月 完成FAB III
09月 開發4M的DRAM
1988年11月 在歐洲當地設立公司（HEE）
01月 開發1M的DRAM
1986年06月 舉行第一次員工文化展覽會「Ami Carnical」
04月 設立半導體研究院
1985年10月 開始批量生產256K的DRAM
1984年09月 完成FAB II-A
1983年02月創立現代電子株式會社，公司概要展望商業領域主要歷程可持續經營，持續經營報告書倫理經營，倫理經營宣言倫 理綱領組織介紹實踐體系產業保安方針在線舉報公司標志

⑶ SK海力士半導體（中國）有限公司怎麼樣

簡介：SK海力士半導體（中國）有限公司於2005-04-26在無錫市新吳區市場監督管理局登記成立。法定代表人朴星昱（PARKSUNGWOOK），公司經營范圍包括生產、加工和銷售8英寸和12英寸集成電路晶元等。
法定代表人：朴星昱（PARK SUNG WOOK）
成立時間：2005-04-26
注冊資本：294586萬美元
工商注冊號：320200400012736
企業類型：有限責任公司(外國法人獨資)
公司地址：中國江蘇省無錫高新區綜合保稅區K7地塊

⑷ 海力士是哪個國家的

海力士晶元生產商，源於韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現代內存，2001年更名為海力士。海力士半導體是世界第三大DRAM製造商，也在整個半導體公司中占第九位。

⑸ 海力士跟現代是什麼關系啊

你好哥們，是說內存品牌吧，現代2001年更名為海力士，以哥們的理解就是現代（半導體公司）內存品牌名稱更名為海力士（半導體公司）內存品牌，所以時下我們仍可見到海力士內存採用HY（現代內存顆粒原名），所以說它們的關系就是一個公司的，只是隨著時間更名了一次，現在是海力士名稱了，謝謝！

⑹ 韓國史上最長做空禁令解除，涉及到了哪些大型股

韓國正式解禁賣空近14個月，是韓國歷史上最長的賣空禁令。自全球疫情爆發以來，為了穩定股市，世界上許多國家和地區都出台了臨時措施禁止股票賣空，韓國是世界上最後一個解除相關禁令的國家和地區。解禁賣空主要針對韓國市場市值大、流動性充裕的權重股，約占韓國股市總市值的80%，其中三星電子、SK Hynix等韓國大型股也在其中。

做空的過程

首先，你從一家大型證券結算公司借入一定數量的股票(如泰格證券)，然後在股市上以一定價格賣出。股價下跌後，你回購相當數量的股票，並返還給證券結算公司(老虎證券)。在整個過程中，你只需要向證券結算公司支付清算費用(包括借貸費用、利息和清算費用)，你的利潤就是股票的賣出價格和買入價格之差。

總而言之，股票做空的風險高於一般買股票的。要想賺錢但靠歪點子是不行的，還需要一點運氣。

好了，以上就是本期所要分享的內容了。

⑺ hynix是什麼牌子

Hynix是海力士晶元生產商，源於韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現代內存，2001年更名為海力士。海力士半導體是世界第三大DRAM製造商，也在整個半導體公司中占第九位。

海力士半導體（中國）有限公司是由全球半導體領頭企業之一的韓國SK海力士株式會社於2005年4月投資設立的半導體製造工廠，主要生產12英寸半導體集成電路晶元，應用范圍涉及個人電腦、伺服器、移動存儲等領域。

海力士半導體（中國）有限公司在錫進行了多次增資及技術升級，累計投資額達105億美元。公司一直致力於打造世界第一的半導體生產基地，與此同時，認真履行企業的社會職責，積極參與公益事業，為社會謀求福利。

(7)海力士中國股票擴展閱讀：

產品介紹

2008年11月，SK海力士發表了1Gb GDDR5 Graphics DRAM。新發表的1Gb GDDR5是以SK海力士的54nm處理技術為基礎所開發的產品。

1Gb GDDR5 實現了7Gbps的速度或28GB/s的處理量，較5Gbps的66nm GDDR5改善了40%，與此同時， 1Gb GDDR5利用1.35V的觀點裝置，在設計上將耗電量降低。SK海力士還支援高性能及主流市場用GDDR3、DDR3、DDR2產品。

SK海力士的DDR3 SDRAM屬於高性能，低耗電量產品。DDR3 SDRAM能夠以最大1.6Gb/s的速度傳送數據，運行電壓為1.5V。目前，SK海力士提供具有1Gb及2Gb集成度高的高性能DDR3，4Gb產品已於2012年投入量產

⑻ 海力士的市場概況

海力士半導體以超卓的技術和持續不斷的研究投資為基礎，每年都在開辟已步入納米級超微細技術領域的半導體技術的嶄新領域。另外，海力士半導體不僅標榜行業最高水平的投資效率，2006年更創下半導體行業世界第七位，步入純利潤2萬億韓元的集團等，正在展現意義非凡的增長勢力。海力士半導體不僅作為給國家經濟注入新鮮血液的發展動力，完成其使命，同時不斷追求與社會共同發展的相生經營。海力士半導體為發展成為令顧客和股東滿意的先導企業，將盡心盡責，全力以赴。

⑼ 受益半導體概念股票有那些

半導體晶元概念股
編者按：全球晶元產業景氣正在持續升溫，而國內半導體產業則有望迎來「黃金十年」。國際半導體設備材料產業協會（SEMI）近日公布，6月北美半導體設備訂單出貨比由5月的1.00升至1.09，觸及2013年11月以來高點。據了解，該指標是觀察半導體景氣重要指標，大於1代表廠商接單良好，對未來保持樂觀看法。
華天科技：成本技術管理優勢兼備 未來持續快速增長可期
華天科技 002185
研究機構：申銀萬國證券 分析師：張騄 撰寫日期：2014-07-14
三地布局完成，成本技術優勢兼備。公司已完成崑山、西安、天水三地布局，高中低端生產線分工明確，成本技術優勢兼備。崑山華天已全面布局WLCSP、Bumping、TSV 等先進封裝技術。西安華天和天水華天進行中低端封裝，成本優勢明顯。
管理層直接控股，股權結構優勢顯著。公司12 名董監高管理層中，有9 人為公司實際控制人，合計持有公司母公司42.92%的股份。這一股權結構使得公司大股東、管理層和中小股東利益保持高度一致，股權結構優勢顯著。
Bumping+FC 業務年底啟動，未來高增長可期。預計崑山華天將在今年四季度開始進行12 寸Bumping 的大規模量產，月產能將達5000 片。隨著Bumping市場規模的快速增長，公司有望快速擴大產能，並且還將帶動西安華天FC 業務的快速增長，未來高增長可期。
MEMS 封裝技術優勢明顯，靜待大規模量產時機。MEMS 進入快速發展第三波，未來幾年將成為WLCSP 封裝技術增長的主要推動力。公司將進行8 寸產品的生產，較目前主流的6 寸MEMS 產品具有更好的一致性，主要產品包括加速度計和指紋識別兩個領域，將靜待大規模量產時機。
首次覆蓋，給予增持評級：我們預計公司14-16 年EPS 為0.40 元，0.52 元，0.62 元，對應14-16 年的PE 為28.2X，21.8X，18.2X，我們認為公司先進封裝業務、中端封裝業務、低端封裝業務合理估值水平分別是15 年40 倍、30倍、20 倍，對應目標價為13.32 元，首次覆蓋給予增持評級。
核心假定的風險：1）國家集成電路扶持政策落實低於預期；2）Bumping 大規模量產時間推遲；3）基於WLCSP 的CIS 產品需求出現下滑。www.southmoney.com
晶方科技：業績符合預期 長期受益進口替代
晶方科技 603005
研究機構：山西證券 分析師：張旭 撰寫日期：2014-04-01
事件追蹤：
公司公布2013年年報。公司2013年營收4.50億元，較上年同期增長33.53%；歸屬母公司所有者的凈利潤為1.53億元，較上年同期增長11.47%；基本每股收益為0.81元，較上年同期增長10.96%。歸屬於母公司凈資產為7.50億元，較上年同期增長19.73%。公司擬向全體股東每10股派發現金紅利1.5元（含稅），不送股，不以資本公積轉增股本。
事件分析：
受益行業復甦，公司營收穩定。2013年，受益於全球經濟緩慢復甦，半導體市場增速出現周期性回升。我國集成電路產業在智能手機、平板電腦等終端產品持續增長的帶動下銷售同比增長16.2%。在整體產業規模快速增長的同時，產業結構出現了差異分化的增長態勢，其中封測業的增長速度明顯放緩，增長率為6.1%。在此背景下，2013年公司持續專注於感測器領域的封裝業務，把握CMOS、MEMES、智能卡、生物身份識別等晶元領域發展的有利時機，全年保持平穩的增長態勢。
公司是大陸首家晶圓級晶元尺寸封裝廠商。晶圓級晶元尺寸封裝技術的特點是在晶圓製造工序完成後直接對晶圓進行封裝，再進行晶圓切割，封裝後的晶元與原始裸晶元尺寸基本一致，符合消費電子短、小、輕、薄的發展的需求和趨勢。目前，該技術只有少數公司掌握，公司作為中國大陸首家、全球第二大能大規模提供影像感測晶元晶圓級晶元尺寸封裝量產服務的專業封測公司，具有技術先發優勢與規模優勢。
公司將長期受益進口替代，發展空間巨大。目前外資企業在我國晶元製造和封裝測試銷售收入中所佔比重已超過80%，國內集電企業面臨嚴重考驗。同時，隨著國內消費類電子需求的持續增長，中國已經超越美國，成為全世界最大的消費類電子市場。持續增長的消費電子需求，也是我國集成電路企業面臨的良好發展機遇，公司長期受益進口替代。
盈利預測與投資建議：
盈利預測及投資建議。公司是大陸首家晶圓級晶元封裝廠商，技術處於行業上游。隨著國內市場的全球地位日益提升及國內產業政策的持續推動，我國集成電路市場將成為全球最有活力和發展前景的市場。公司未來發展空間較大，我們看好公司未來的發展前景，考慮到近期半導體扶持政策的出台預期，首次給予公司「增持」投資評級。
投資風險：
行業波動風險；匯率波動風險
長電科技：卡位先進封裝 業績拐點確立
長電科技 600584
研究機構：申銀萬國證券 分析師：張騄 撰寫日期：2014-07-07
卡位先進封裝技術，成長路徑明確。公司現在是國內封測行業規模最大，全球第六大的龍頭企業。公司憑借規模優勢在先進封裝技術研發支出上遠高於同行業可比公司，提前卡位先進封裝技術，實現先進封裝技術的全布局，勾畫出明確清晰的中長期成長路徑。
Bumping+FC業務確定性高成長。當晶元製程進步到40/45nm以下時， Bumping+FC封裝方法成為必然選擇。今年是28nm規模化量產大年，Bumping市場規模將快速增長。公司在這一領域已經有多年技術積累並實現大規模量產，受益於行業趨勢將獲得確定性高成長。年初牽手中芯國際更是錦上添花，有望切入國際IC設計大廠高端產品。
TSV和MIS技術領先，未來成長空間巨大。公司在TSV技術和MIS材料兩個領域技術領先，未來這兩個領域都將坐擁近百億美元的市場空間，並且高速滲透期拐點即將到來，有望成為行業規模爆發增長的最大受益者。 2Q業績拐點確立。公司7月2日公布業績預增公告，2Q單季實現凈利潤5000萬元左右。這主要受益於低端生產線搬遷陣痛結束，人力成本優勢顯現；先進封裝技術前期大額研發投入之後，隨著量產規模提升開始進入業績釋放期；並且快速增長的先進封裝業務對公司整體業績推動作用加大，2Q業績拐點確立。
首次覆蓋，給予買入評級：我們預計公司14-16年EPS為0.24元，0.42元，0.67元，對應14-16年的PE為42.5X，24.1X，14.9X，我們認為公司先進封裝業務、中端封裝業務、低端封裝業務合理估值水平分別是15年40倍、30倍、20倍，對應目標價為12.67元，首次覆蓋給予買入評級。
核心假定的風險：1）盈利恢復無法持續；2）國家集成電路扶持政策落實低於預期；3）中芯國際先進製程量產出現問題。
同方國芯：核心晶元國產化是趨勢 只是需要耐心
同方國芯 002049
研究機構：長城證券 分析師：金煒 撰寫日期：2014-04-28
投資建議
公司作為國內智能卡晶元廠商第一梯隊成員，手中既有類似二代身份證晶元的現金流業務，也有即將爆發的金融IC卡及移動支付產品儲備，在核心晶元國產化的趨勢下，公司將穩步受益。另外國微電子作為軍品特種元器件行業龍頭企業也有望穩步受益於軍隊信息化建設。公司後續仍會考慮進行一系列的收購快速進入其他集成電路產業。我們預測公司2014-2016年EPS分別為1.18元、1.59元及2.08元，對應目前股價PE分別為36x、27x及21x，維持「推薦」評級。
投資要點
公司一季度營收凈利潤同比均雙位數增長：公司一季度營業收入同比增長26.5%，歸屬於母公司股東凈利潤同比增長21.0%，扣非後歸屬於母公司股東凈利潤同比增長87.9%。公司傳統業務保持穩定增長，金融支付類產品和特種集成電路新產品正逐步進入市場，開始貢獻收益。
公司一季度毛利率提升：公司一季度整體毛利率為32.1%，相比去年同期的30.4%有所提升。預計主要是4GSIM卡晶元以及國微電子業務提升。
公司一季度費用率控制較好：公司一季度費用佔比為15.1%，相比去年同期的18.5%有較大幅度下降。
公司應收賬款佔比上升：公司一季度應收賬款為4.70億元，占收入比為255.3%，相比去年同期的244.5%略有所上升。存貨相比去年同期無大變化。
公司經營性現金流比去年同期好：公司一季度經營性現金流量凈額為4380萬，比去年同期向好。n2014年SIM-SWP卡晶元以及金融IC卡晶元恐尚不能為公司帶來較大收益，但我們對公司2014年實現凈利潤同比增長30%仍較為有信心，原因如下：
二代身份證晶元將作為公司現金流業務長期存在：公司作為公安部一所指定的四家二代身份證晶元生產廠商之一（其餘三家是中電華大、華虹設計和大唐微電子），從2003年以來便為公安部提供二代身份證晶元。由於居民信息的保密原因，十年間，公安部沒有再通過其他晶元廠商的認證。我們預計二代身份證晶元業務將長期作為公司的現金流業務存在，為公司整體業績提供保障。公司營業利潤中34%左右均來源於身份證晶元業務，只要該項業務公安部不引入新的競爭者，公司業績將有較為穩固的基礎。另外考慮到2005-2006年是身份證發證高峰，2015-2016年恐有一波換證高峰到來，我們預計2014-2016年公司身份證晶元業務將呈現穩中有升的局面，為公司總體業績增長打下較為堅實的基礎。
公司SIM卡業務將持續增長並提升毛利率：公司去年SIM卡出貨量約7億張，同比2012年增長56%。在單價基本不變的前提下，公司毛利率從6%左右提升到了12%-13%。全球一年發行50億張SIM卡，公司目前占據全球市場份額約14%。我們預計在規模化效應下，公司的SIM卡發卡量將進一步上升，另外由於大存儲的4GSIM卡采購佔比上升，公司SIM卡毛利率仍有望進一步提升。我們預計公司今年有望發行10億張SIM卡，毛利率將接近15%，預計為公司提供4000元左右的營業利潤，佔到公司總體營業利潤的10%以上。
受益於軍隊信息化建設提速，國微電子將維持25%-35%左右業績增速：同方國芯旗下另一家子公司國微電子主要從事集成電路設計、開發與銷售，公司具有全部特種集成電路行業所需資質。公司是國內特種元器件行業龍頭企業，是國內特種元器件行業門類最多、品種最全的企業。截至目前公司完成了近200項產品，科研投入總經費9億余元，其中「核高基」重大專項支持經費3億多元。和同行比，公司產品種類最全，品種最多，目前可銷售產品達到100多種。國微電子在研項目轉化產品能力較強，在研項目超過50項，年均新增產品近30項。我國軍工用的集成電路市場總額為60億，國內的公司僅佔了其中6個億，國有軍工企業有較大發展空間。我們看好國微電子在軍隊信息化建設浪潮中的發展，也看好公司軍轉民的嘗試。
公司有望2015年受益於金融IC卡晶元國產化：目前我國銀行卡業正在經歷EMV遷移，各家銀行的磁條卡正在初步替換為晶元卡，2013年全年新增晶元卡約為全年新增銀行卡的47%。我們預計2014年全年將新增4-5億張晶元卡，主要來源於股份制銀行的發力，晶元卡滲透率將進一步上升。目前各家卡商基本均採用NXP的晶元，隨著華虹設計通過了CC的Eal4+認證，國內晶元廠商與外資晶元廠商的技術差距正在進一步縮小。目前發改委正在組織包括同方國芯在內的幾家晶元公司進行局部區域的規模發卡測試，一旦安全性得以驗證，在國家信用的背書下，國內銀行將逐步採用國產IC卡晶元替換進口IC卡晶元。我們預計2014年將是國產晶元廠商嶄露頭角的一年，經過一年實網測試後，國內晶元廠商有望在2015年與國外廠商正面競爭，屆時成本將是考量國內晶元廠商是否能獲取市場的重要因素。核心晶元國產化是大趨勢，國產晶元企業正在縮小和國外企業的差距，這個時候需要的是耐心。
投資建議：公司作為國內智能卡晶元廠商第一梯隊成員，手中既有類似二代身份證晶元的現金流業務，也有即將爆發的金融IC卡及移動支付產品儲備，在核心晶元國產化的趨勢下，公司將穩步受益。另外國微電子作為軍品特種元器件行業龍頭企業也有望穩步受益於軍隊信息化建設。公司後續仍會考慮進行一系列的收購快速進入其他集成電路產業。我們預測公司2014-2016年EPS分別為1.18元、1.59元及2.08元，對應目前股價PE分別為36x、27x及21x，維持「推薦」評級。
風險提示：2014年SIM卡晶元價格戰，公司健康卡銷售不及預期，國微電子盈利不及預期。
七星電子
公司是國內領先的集成電路設備製造商，以集成電路製造工藝技術為核心，以大規模集成電路製造設備、混合集成電路和電子元件為主營業務。公司擁有優秀的技術研發團隊，具備一流的生產環境，加工手段和檢測儀器，是中國最大的電子裝備生產基地和高端的電子元器件製造基地。是「六五」至「十五」期間承擔國家電子專用設備重大科技攻關任務的骨幹企業，國內唯一一傢具有8英寸立式擴散爐和清洗設備生產能力的公司。公司生產的混合集成電路等軍工配套產品在「神舟五號」、「神舟六號」、「神舟七號」、「嫦娥一號」、長征系列火箭的航天任務和多項國家重點工程中得到應用。
上海新陽
公司是以技術為主導，立足於自主創新的高新技術企業，專業從事半導體行業所需電子化學品的研發、生產和銷售服務，同時開發配套的專用設備，致力於為客戶提供化學材料、配套設備、應用工藝、現場服務一體化的整體解決方案。公司主導產品包括引線腳表面處理電子化學品和晶圓鍍銅、清洗電子化學品，可廣泛應用於半導體製造、封裝領域。公司產品主要基於電子清洗和電子電鍍核心技術。公司設有專門的研發機構，擁有一批經驗豐富、研發水平高超的專業研發隊伍，取得了3項國家發明專利、多項實用新型專利和多項上海市高新技術成果轉化項目。公司被中國企業創新成果案例審定委員會、中國中小企業協會認定為「最具自主創新能力企業」，先後被評為上海市外商投資先進技術企業、上海市科技創新企業、上海市專利工作培育企業、上海市重合同守信用AAA級企業。
中穎電子
公司是國內領先的集成電路設計企業，從事IC產品的設計和銷售，並提供相關的售後服務及技術服務。公司所設計和銷售的IC產品以MCU為主，產品主要應用於小家電及電腦數碼產品的控制。公司是首批被中國工業和信息化部及上海市信息化辦公室認定的IC設計企業，並連續11年被認定為上海市高新技術企業。公司在國內已取得10項發明專利和4項實用新型專利，並在我國台灣地區獲得發明專利5項，已登記的集成電路布圖設計權84項，已登記的軟體著作權7項。

⑽ 無錫海力士現在怎麼樣

半導體工廠大多有毒的。海力士常年恆溫,廠里的氧氣都是1比幾稀釋出來的。
辦公室好些。海力福利待遇中等吧,食宿不要錢,製造的工程師基本工資應該有3000以上吧,不過製造壓力應該比較大,因為涉及到一個產能的問題。不過今年跳槽的人比較多。加油吧!