股票張興科技

『壹』 張興的主要成果

教學方面，講授的《微電子學概論》被評為北京市精品課程，編寫的教材獲教育部優秀教材二等獎。
論著方面，共發表學術論文200餘篇，出版著作4部，獲信息產業部科技進步二等獎、教育部優秀青年教師獎等8項省部級獎勵。
張興同志自1993年博士後入站以來，先後主持了國家重大基礎研究規劃(973)項目(擔任項目的首席科學家)、863、國家自然科學基金、國家重點科技攻關以及國際合作等十餘項科研項目，均出色完成了任務，總科研經費達數千萬元。在這期間，他主要致力於小尺寸MOS器件、CMOS工藝和SOI技術的研究，取得了一系列富於創新的科研成果，其中主要的如下：
(1) 全面研究了CoSi2柵對器件輻照特性的影響，首次得出了採用CoSi2自對准柵可以提高器件抗總劑量輻照能力的結論。
(2) 開發了系列深亞微米SOI器件模型和CMOS/SOI電路模擬軟體，在國內首次實現了深亞微米CMOS/SOI電路的模擬。該軟體已銷售到香港城市大學、航天科技集團等多家單位。(3) 在國內第一個研製出溝長為0.15mm的新型凹陷溝道SOI器件。(4) 提出並研製了SOI退火推進型柵控混合管(DGCHT)新結構，改善了以前GCHT擊穿電壓較低、Early效應較大等問題，獲發明專利。 (5) 研製出門延遲時間為55ps的薄膜全耗盡51級CMOS/SOI環振電路，為國內目前最高水平。(6) 首次提出了大劑量氧離子注入過程中濺射產額與注入能量的簡潔關系式，完成了一個快捷准確的SIMOX厚度計算程序POISS。(7) 主持開發了抗輻照CMOS/SOI全套工藝，並已經轉讓到信息產業部47所、北京宇翔電子有限公司等。(8) 主持開發的抗輻照CMOS/SOI專用集成電路已應用於中國工程物理研究院、航天工業總公司等 。
共出版著作2部，發表學術論文120餘篇；獲得信息產業部科技進步二等獎、國家科技攻關重大成果獎等獎勵7項；獲發明專利1項。 在教學方面新開一門本科生學校主幹基礎課《微電子學概論》，主講一門研究生課，能夠將最新的科研成果和國內外的進展有機地融入課堂教學中，得到了同學們的好評。