股票张兴科技

『壹』 张兴的主要成果

教学方面，讲授的《微电子学概论》被评为北京市精品课程，编写的教材获教育部优秀教材二等奖。
论著方面，共发表学术论文200余篇，出版著作4部，获信息产业部科技进步二等奖、教育部优秀青年教师奖等8项省部级奖励。
张兴同志自1993年博士后入站以来，先后主持了国家重大基础研究规划(973)项目(担任项目的首席科学家)、863、国家自然科学基金、国家重点科技攻关以及国际合作等十余项科研项目，均出色完成了任务，总科研经费达数千万元。在这期间，他主要致力于小尺寸MOS器件、CMOS工艺和SOI技术的研究，取得了一系列富于创新的科研成果，其中主要的如下：
(1) 全面研究了CoSi2栅对器件辐照特性的影响，首次得出了采用CoSi2自对准栅可以提高器件抗总剂量辐照能力的结论。
(2) 开发了系列深亚微米SOI器件模型和CMOS/SOI电路模拟软件，在国内首次实现了深亚微米CMOS/SOI电路的模拟。该软件已销售到香港城市大学、航天科技集团等多家单位。(3) 在国内第一个研制出沟长为0.15mm的新型凹陷沟道SOI器件。(4) 提出并研制了SOI退火推进型栅控混合管(DGCHT)新结构，改善了以前GCHT击穿电压较低、Early效应较大等问题，获发明专利。 (5) 研制出门延迟时间为55ps的薄膜全耗尽51级CMOS/SOI环振电路，为国内目前最高水平。(6) 首次提出了大剂量氧离子注入过程中溅射产额与注入能量的简洁关系式，完成了一个快捷准确的SIMOX厚度计算程序POISS。(7) 主持开发了抗辐照CMOS/SOI全套工艺，并已经转让到信息产业部47所、北京宇翔电子有限公司等。(8) 主持开发的抗辐照CMOS/SOI专用集成电路已应用于中国工程物理研究院、航天工业总公司等 。
共出版著作2部，发表学术论文120余篇；获得信息产业部科技进步二等奖、国家科技攻关重大成果奖等奖励7项；获发明专利1项。 在教学方面新开一门本科生学校主干基础课《微电子学概论》，主讲一门研究生课，能够将最新的科研成果和国内外的进展有机地融入课堂教学中，得到了同学们的好评。